IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)
該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，以表征器件的動(dòng)態(tài)特性，通過(guò)特制測(cè)試夾具的連接，實(shí)現(xiàn)模塊的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試

品牌： 華科智源
名稱(chēng)： 雙脈沖測(cè)試平臺(tái)
型號(hào)： PT-1224
用途： 測(cè)試動(dòng)態(tài)參數(shù)

1.1 原理簡(jiǎn)述

雙脈沖測(cè)試平臺(tái)主要是通過(guò)特定程序控制功率元件在可控范圍內(nèi)兩次開(kāi)通，并測(cè)量過(guò)程中各 種動(dòng)態(tài)參數(shù)，特別是在不同母線電壓，不同溫度下參數(shù)差異，是評(píng)估 FRD 和 IGBT 二十多種 動(dòng)態(tài)參數(shù)重要測(cè)量手段。同時(shí)也是功率元件驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路參數(shù)調(diào)整和驗(yàn)證的測(cè)量平臺(tái)。



1.2 原理框圖







1.3 主要作用

1、測(cè)試對(duì)比不同 IGBT 的參數(shù)；

2、評(píng)估驅(qū)動(dòng)的功能和性能；

3、獲取 IGBT 在開(kāi)通、關(guān)斷過(guò)程的主要參數(shù)，以評(píng)估 Rgon 及 Rgoff 的數(shù)值是否合適；

4、開(kāi)通、關(guān)斷過(guò)程是否有不合適的震蕩；

5、評(píng)估二極管的反向恢復(fù)行為和安全余量；

6、IGBT 關(guān)斷時(shí)的電壓尖峰是否合適，關(guān)斷之后是否存在不合適的震蕩；

7、評(píng)估 IGBT 并聯(lián)的均流特性；

8、測(cè)量母排和系統(tǒng)的雜散電感。

9、可兼容 TO-252、TO263、TO-3P、TO-247、ME4、HP1、Hpdriver 等封裝；如特殊封裝可 以定制開(kāi)發(fā)適配版。




電源范圍

0～1000VDC

加熱范圍

室溫～200℃

測(cè)試電流

0～2400A

負(fù)載電感

50uH\100uH\200uH\500uH （標(biāo)配 2 種）

脈寬調(diào)制范圍

5～400us

脈寬顯示屏

4 寸


通過(guò)此設(shè)備與示波器連接測(cè)試項(xiàng)目



開(kāi)通參數(shù)

關(guān)斷參數(shù)

Frd 反向恢復(fù)參數(shù)

開(kāi)通最大尖峰電流 Ic-peak max

關(guān)斷最大尖峰電壓 Vce-peak max

最大反向恢復(fù)電流 IRM

開(kāi)通時(shí)間 Ton

關(guān)斷時(shí)間 Toff

反向恢復(fù)損耗 Erec

開(kāi)通延遲 Td-on

關(guān)斷延遲 Td-off

反向恢復(fù)時(shí)間 Trr

開(kāi)通電壓變化率 dv/dt-on

關(guān)斷電壓變化率 dv/dt-off

反向恢復(fù)電荷 Qrr

開(kāi)通電流變化率 di/dt-on

關(guān)斷電流變化率 di/dt-off

反向恢復(fù)峰值功耗 Prr-peak

開(kāi)通電壓下降時(shí)間 tf-v-on

關(guān)斷電壓上升時(shí)間 tr-v-off

前沿電流變化率 di/dt-r

開(kāi)通電流上升時(shí)間 tr-i-on

關(guān)斷電流下降時(shí)間 tf-i-off

后沿電流變化率 di/dt-f

開(kāi)通損耗 Eon

Ic 拖尾電流值 It

反向恢復(fù)電壓變化率 dv/dt-rr


Ic 拖尾時(shí)間 Tt

最大反向恢復(fù)尖峰電壓 Vrr-peak


關(guān)斷損耗 Eoff